ITO靶材,全称氧化铟锡靶材,是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡(简称ITO)是一种n型半导体材料,通常由90%的氧化铟(In₂O₃)和10%的氧化锡(SnO₂)组成。这种材料以其的透明度和导电性,成为现代电子工业中不可或缺的组成部分。无论是智能手机的触摸屏、平板电脑的显示面板,还是太阳能电池的透明电极,ITO靶材都以其独特的功能支撑着这些设备的运行。
区别对比
成分差异:铟靶材为纯金属铟制成,而ITO靶材则是铟锡氧化物的复合物。
用途不同:铟靶材主要用于需要高导电性和延展性的领域,如航空航天部件;ITO靶材则因其透明导电性广泛应用于光电显示领域。
性能特点:铟靶材更侧重于导电性和机械强度,而ITO靶材则兼顾导电性和光学透明性。
ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)靶材是一种广泛用于透明导电薄膜材料制备的复合氧化物材料,其主要成分为氧化铟(In₂O₃)和氧化锡(SnO₂)。通常,ITO靶材中氧化铟与氧化锡的质量比例为90:10,这一比例在实际应用中表现出较为理想的光电特性,使其在透明导电薄膜中广泛应用。
闭环之困:损耗与机遇并存
ITO靶材在溅射镀膜过程中利用率通常仅30%左右,大量含铟废料(废旧靶材、边角料、镀膜腔室废料)随之产生。过去,这些价值的废料往往被简单处理或堆积。建立从“废靶材→再生铟→新靶材”的闭环体系,成为破解资源约束的黄金路径。