粉末冶金法：将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合，随后进行预烧结，以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相对低温下进行，目的是通过部分熔融促进粉末颗粒的结合，同时防止过早的晶粒长大。粉体粒径分布的控制是该方法中的关键一环。

触控技术领域：电容式和电阻式触摸屏中，ITO 作为电极材料，其透明性和导电性决定了触控设备的灵敏度和视觉效果。

精铟的制备需经过多步精炼，核心工艺包括：

原料预处理：以锌冶炼副产物（如浸出渣、烟灰）或含铟废料为原料，通过酸浸、萃取等方式初步分离铟。

电解精炼：将粗铟溶解为铟盐溶液（如硫酸铟），通过电解沉积得到纯度约 99.95% 的粗精铟。

深度提纯：

真空蒸馏：在高真空条件下利用铟与杂质的沸点差异（铟沸点 2080℃，杂质如锌沸点 907℃）去除低沸点杂质。

区域熔炼：通过移动加热区使杂质在固液界面重新分布，多次操作后可将纯度提升至 6N 以上。

化学提纯：利用萃取剂（如三丁基氧化膦）或离子交换树脂进一步去除微量金属离子。

物理化学性能

物理性质：

密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。

导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。

化学性质：

常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。