产品描述：
具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求，极高的集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备的可靠性。
关键特征：
100ns级高速响应、多至48通道单片集成、全固态波导芯片、超低光损耗。
典型应用：
通道间光功率均衡或阻塞、WDM网络光功率控制、1×1光开关、模拟信号调制（静态稳定、无需工作点反馈控制回路）。
主要指标（典型值）：
性能指标
单位
吸收型
备注
工作波长
nm
1525～1565
响应时间
ns
100-300
插入损耗
dB
1.2
光纤进到光纤出的损耗
衰减范围
dB
25
偏振相关性
dB
≤0.3
@0dB衰减时
≤0.5
@0~25d衰减时
功耗(@18dB衰减)
mW
150
随衰减量增大而增大
电压
V
1.2
电流
mA
0-35
集成度